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一种新型浮地记忆元件建模方法及实现

郑辞晏庄楚源李亚练明坚梁燕于东升

物理学报2021，Vol.70Issue(23)：351-362,12.

物理学报2021，Vol.70Issue(23)：351-362,12.DOI:10.7498/aps.70.20211021

一种新型浮地记忆元件建模方法及实现

A novel modeling method and implementation of floating memory elements

郑辞晏 ¹庄楚源 ²李亚 ²练明坚 ²梁燕 ³于东升⁴

作者信息

1. 广东技术师范大学自动化学院,广州510665
2. 广东技术师范大学电子与信息学院,广州 510665
3. 杭州电子科技大学电子与信息学院,杭州310018
4. 中国矿业大学电气与动力工程学院,徐州221116
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摘要

关键词

记忆元件/硬件实验/磁滞回线特性/浮地模拟器

引用本文复制引用

郑辞晏,庄楚源,李亚,练明坚,梁燕,于东升..一种新型浮地记忆元件建模方法及实现[J].物理学报,2021,70(23):351-362,12.

基金项目

国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61801154,62101142)、广州市科技计划(批准号:201904010302,202102020874)、广东省教育厅项目(批准号:2021ZDZX1079,2021KTSCX062)和广东技术师范大学人才专项(批准号:2021SDKYA009)资助的课题. （批准号:61801154,62101142）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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