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脉宽对中红外激光带内损伤HgCdTe材料的影响

胡蔚敏 王小军 田昌勇 杨晶 刘可 彭钦军

强激光与粒子束2022，Vol.34Issue(1)：P.126-133,8.
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强激光与粒子束2022，Vol.34Issue(1)：P.126-133,8.DOI:10.11884/HPLPB202234.210321

脉宽对中红外激光带内损伤HgCdTe材料的影响

胡蔚敏 1王小军 2田昌勇 2杨晶 2刘可 2彭钦军3

作者信息

  • 1. 中国科学院理化技术研究所固体激光重点实验室,北京100190 中国科学院大学,北京100049
  • 2. 中国科学院理化技术研究所固体激光重点实验室,北京100190
  • 3. 中国科学院理化技术研究所固体激光重点实验室,北京100190 中国科学院理化技术研究所功能晶体与激光技术重点实验室,北京100190
  • 折叠

摘要

关键词

激光辐照半导体/碲镉汞/损伤阈值/自洽模型/百皮秒脉冲激光

分类

能源科技

引用本文复制引用

胡蔚敏,王小军,田昌勇,杨晶,刘可,彭钦军..脉宽对中红外激光带内损伤HgCdTe材料的影响[J].强激光与粒子束,2022,34(1):P.126-133,8.

基金项目

国家自然科学基金青年科学基金项目(61805259) （61805259）

中国科学院固体激光重点实验室基金项目。 （）

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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