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外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi_(2)O_(3)界面电学性能

李亚莎刘世冲刘清东夏宇胡豁然李光竹

物理学报2022，Vol.71Issue(2)：P.251-259,9.

物理学报2022，Vol.71Issue(2)：P.251-259,9.DOI:10.7498/aps.71.20210635

李亚莎 ¹刘世冲 ¹刘清东 ¹夏宇 ¹胡豁然 ¹李光竹¹

作者信息

ZnO压敏电阻/缺陷/微观特性/内建电场

信息技术与安全科学

李亚莎,刘世冲,刘清东,夏宇,胡豁然,李光竹..外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi_(2)O_(3)界面电学性能[J].物理学报,2022,71(2):P.251-259,9.

国家自然科学基金(批准号:51577105)资助的课题。（批准号:51577105）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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