|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|发光学报|带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管

带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管

刘翠翠 林楠 马骁宇 井红旗 刘素平

发光学报2022，Vol.43Issue(1)：110-118,9.
✕
发光学报2022，Vol.43Issue(1)：110-118,9.DOI:10.37188/CJL.20210306

带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管

High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window

刘翠翠 1林楠 2马骁宇 3井红旗 4刘素平3

作者信息

  • 1. 中国原子能科学研究院 核物理所, 北京 102413
  • 2. 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心, 北京 102413
  • 3. 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心, 北京 100083
  • 4. 中国科学院大学, 北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

半导体激光二极管/腔面光学灾变损伤/量子阱混杂/非吸收窗口

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘翠翠,林楠,马骁宇,井红旗,刘素平..带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管[J].发光学报,2022,43(1):110-118,9.

基金项目

国家自然科学基金(11690044) （11690044）

国家重点研发计划(2018YFB1107300)资助项目 （2018YFB1107300）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文