双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性OA北大核心CSTPCD
Bias Stress Stability of Electric-double-layer ZnO Thin-film Transistor
以环保可降解的天然生物材料制备功能器件越来越受到关注,利用天然鸡蛋清作为栅介质层,采用射频磁控溅射法在其上沉积ZnO薄膜有源层,制备低压双电层氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)并对其电学特性进行了表征,研究了器件在栅偏压和漏偏压应力下电性能的稳定性及其内在的物理机制.该ZnO-TFT器件呈现出良好的电特性,载流子饱和迁移率为5.99 cm2/(V·s),阈值电压为2.18 V,亚阈值摆幅为0.57 V/dec,开关电流比为1.2×105,工作电…查看全部>>
王聪;刘玉荣;彭强;黄荷
汕尾职业技术学院 海洋学院, 广东 汕尾 516600汕尾市海洋产业研究院 新能源材料与催化工程研究中心, 广东 汕尾 516600华南理工大学 微电子学院, 广东 广州 510640汕尾职业技术学院 海洋学院, 广东 汕尾 516600
信息技术与安全科学
薄膜晶体管氧化锌双电层偏压应力稳定性
《发光学报》 2022 (1)
基于压电应变栅氧化物薄膜晶体管的柔性触觉传感器研究
129-136,8
广东省普通高校重点领域专项(新一代信息技术)(2020ZDZX3125)国家自然科学基金(61871195)广东省基础与应用基础研究基金(2021A1515011872)汕尾职业技术学院科研项目(SWKT19-011)资助
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