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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计

周书星 方仁凤 魏彦锋 陈传亮 曹文彧 张欣 艾立鹍 李豫东 郭旗

物理学报2022，Vol.71Issue(3)：284-291,8.
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物理学报2022，Vol.71Issue(3)：284-291,8.DOI:10.7498/aps.71.20211265

磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计

Structure parameters design of InP based high electron mobility transistor epitaxial materials to improve radiation-resistance ability

周书星 1方仁凤 1魏彦锋 1陈传亮 1曹文彧 1张欣 1艾立鹍 2李豫东 3郭旗3

作者信息

  • 1. 湖北文理学院物理与电子工程学院,低维光电材料与器件湖北省重点实验室,襄阳 441053
  • 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
  • 3. 中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011
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摘要

关键词

磷化铟高电子迁移率晶体管/二维电子气/电子束辐照/辐射加固

引用本文复制引用

周书星,方仁凤,魏彦锋,陈传亮,曹文彧,张欣,艾立鹍,李豫东,郭旗..磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计[J].物理学报,2022,71(3):284-291,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11705277,61434006)和湖北文理学院博士科研启动基金(批准号:kyqdf2059038)资助的课题. （批准号:11705277,61434006）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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