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基于MK.1TE测试系统对芯片静电放电(ESD)测试分析

吕友成 陈仲永 聂帆宇 叶武剑

现代信息科技2021,Vol.5Issue(18):35-39,5.
现代信息科技2021,Vol.5Issue(18):35-39,5.DOI:10.19850/j.cnki.2096-4706.2021.18.010

基于MK.1TE测试系统对芯片静电放电(ESD)测试分析

Analysis of Chip Electrostatic Discharge (ESD) Test Based on MK.1TE Test System

吕友成 1陈仲永 1聂帆宇 1叶武剑2

作者信息

  • 1. 广州星海集成电路基地有限公司,广东 广州 510006
  • 2. 广东工业大学,广东 广州 510006
  • 折叠

摘要

关键词

静电放电/ESD/MK.1TE测试系统/ESD击穿的临界电压

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吕友成,陈仲永,聂帆宇,叶武剑..基于MK.1TE测试系统对芯片静电放电(ESD)测试分析[J].现代信息科技,2021,5(18):35-39,5.

基金项目

广东省重大科技专项(2018B010115002、2019B010140002) (2018B010115002、2019B010140002)

现代信息科技

2096-4706

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