|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|中国电机工程学报|碳化硅器件的短路保护:设计准则和电路

碳化硅器件的短路保护:设计准则和电路

党子越 彭晗 彭皓 康勇

中国电机工程学报2022，Vol.42Issue(2)：728-736,中插24,10.
✕
中国电机工程学报2022，Vol.42Issue(2)：728-736,中插24,10.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.210310

碳化硅器件的短路保护:设计准则和电路

SiC MOSFET Short Circuit Protection: Design Principles and Circuit

党子越 1彭晗 1彭皓 1康勇1

作者信息

  • 1. 强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院),湖北省 武汉市 430074
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/短路特性/DESAT保护电路/氮化镓

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

党子越,彭晗,彭皓,康勇..碳化硅器件的短路保护:设计准则和电路[J].中国电机工程学报,2022,42(2):728-736,中插24,10.

基金项目

国家自然科学基金项目(52007077). （52007077）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文