考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法OA北大核心CSCD
Simplified Model of Power MOSFET Switching Loss Considering the Parasitic Parameters
变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一.现有计算开关损耗的方法在数学建模过程中需要求解微分方程组,计算过程较为复杂,不利于实际工程应用.该文提出一种简洁易用的MOSFET开关损耗简化计算方法.首先,推导出MOSFET非线性电容及跨导系数取值公式,并细化了MOSFET开关过程中的模态;然后,通过对各模态电流、电压波形进行分段线性近似处理,避免求解微分方程组,推导出相应模…查看全部>>
马昆;施永;苏建徽;赖纪东;于翔
合肥工业大学光伏系统教育部工程研究中心 合肥 230009合肥工业大学光伏系统教育部工程研究中心 合肥 230009合肥工业大学光伏系统教育部工程研究中心 合肥 230009合肥工业大学光伏系统教育部工程研究中心 合肥 230009合肥工业大学光伏系统教育部工程研究中心 合肥 230009
信息技术与安全科学
功率MOSFET寄生参数开关损耗计算模型
《电工技术学报》 2021 (z2)
591-599,609,10
国家重点研发计划项目(2018YFB0904100)和国家电网公司科技项目(SGHB0000KXJS1800685)资助.
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