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全碳化硅辅助变流器功率回路振荡问题

余宝伟 郭希铮 部旭聪 刘伟志 游小杰

电工技术学报2021,Vol.36Issue(z2):619-626,8.
电工技术学报2021,Vol.36Issue(z2):619-626,8.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90378

全碳化硅辅助变流器功率回路振荡问题

Oscillation of Power Circuit of Full SiC Auxiliary Converter

余宝伟 1郭希铮 1部旭聪 1刘伟志 2游小杰1

作者信息

  • 1. 北京交通大学电气工程学院 北京 100044
  • 2. 北京纵横机电科技有限公司 北京 100081
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/关断振荡/谐振电流/解析法/解耦电容

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

余宝伟,郭希铮,部旭聪,刘伟志,游小杰..全碳化硅辅助变流器功率回路振荡问题[J].电工技术学报,2021,36(z2):619-626,8.

基金项目

北京市科技计划资助项目(Z181100004418005). (Z181100004418005)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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