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缺陷对交流1100kV GIL三支柱绝缘子电场分布影响的仿真

刘鹏 吴泽华 朱思佳 徐家忠 刘庆东 彭宗仁

电工技术学报2022,Vol.37Issue(2):469-478,10.
电工技术学报2022,Vol.37Issue(2):469-478,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90194

缺陷对交流1100kV GIL三支柱绝缘子电场分布影响的仿真

Simulation on Electric Field Distribution of 1100kV AC Tri-Post Insulator Influenced by Defects

刘鹏 1吴泽华 1朱思佳 1徐家忠 2刘庆东 2彭宗仁1

作者信息

  • 1. 电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049
  • 2. 山东电工电气集团有限公司 济南 250022
  • 折叠

摘要

关键词

特高压(UHV)/气体绝缘金属封闭输电线路(GIL)/三支柱绝缘子/界面缺陷/内部气泡/导电颗粒

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘鹏,吴泽华,朱思佳,徐家忠,刘庆东,彭宗仁..缺陷对交流1100kV GIL三支柱绝缘子电场分布影响的仿真[J].电工技术学报,2022,37(2):469-478,10.

基金项目

国家电网公司科技资助项目(SGZJ0000KXJS1900410). (SGZJ0000KXJS1900410)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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