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基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术

王嘉宾 王海珠 刘伟超 王曲惠 范杰 邹永刚 马晓辉

发光学报2022，Vol.43Issue(2)：153-160,8.
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发光学报2022，Vol.43Issue(2)：153-160,8.DOI:10.37188/CJL.20210378

基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术

Three-step Epitaxial Growth of GaAs on Si by MOCVD Technology

王嘉宾 1王海珠 2刘伟超 1王曲惠 2范杰 1邹永刚 2马晓辉1

作者信息

  • 1. 长春理工大学 重庆研究院, 重庆 401135
  • 2. 长春理工大学 高功率半导体国家重点实验室, 吉林 长春 130022
  • 折叠

摘要

关键词

金属有机化学气相沉积/砷化镓/硅/异质外延

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王嘉宾,王海珠,刘伟超,王曲惠,范杰,邹永刚,马晓辉..基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术[J].发光学报,2022,43(2):153-160,8.

基金项目

吉林省科技发展计划(20210201089GX) （20210201089GX）

重庆市自然科学基金(cstc2021jcyj-msxmX1060)资助项目 （cstc2021jcyj-msxmX1060）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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