密码学报2021，Vol.8Issue(6)：1074-1081,8.DOI:10.13868/j.cnki.jcr.000497
脉冲激光诱发SRAM单粒子翻转的故障模型分析
Fault Model Analysis of SRAM Single Event Upset Induced by Pulsed Laser
摘要
关键词
激光故障注入/SRAM/故障模型/单比特翻转/多比特翻转分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李悦,朱翔,姜会龙,韩建伟..脉冲激光诱发SRAM单粒子翻转的故障模型分析[J].密码学报,2021,8(6):1074-1081,8.基金项目
国防科技创新特区项目(18-163-21-TS-001-066-01) （18-163-21-TS-001-066-01）
