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22nm低压差线性稳压器的设计OA

中文摘要

片上系统芯片对电源管理电路的要求日益提高,通过深入研究,采用Global Foundries 22 nm FDSOI先进工艺设计一款低压差线性稳压器,仿真结果显示,在温度为25℃,电源电压为1.8 V时,LDO电路稳定输出电压为800 mV,最大负载电流为30 mA;负载电流在1μA到30 mA工作时,负载调整率为0.04 mV/mA,线性调整率为0.2%,低频时电源电压抑制比(PSRR)为61.26 dB,并且在稳定性方面表现良好.

郭苹苹

上海电力大学 电子与信息工程学院,上海 200090

信息技术与安全科学

低压差线性稳压器22nm全耗尽绝缘体上硅稳定性

《科技创新与应用》 2022 (4)

108-110,113,4

10.19981/j.CN23-1581/G3.2022.04.032

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