人工晶体学报2022，Vol.51Issue(1)：3-20,18.
高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
Research Progress on the Growth of SiC Single Crystal via High Temperature Solution Growth Method
摘要
关键词
宽禁带半导体/碳化硅/高温溶液法/顶部籽晶溶液法/助熔剂/晶体生长分类
数理科学引用本文复制引用
王国宾,李辉,盛达,王文军,陈小龙..高温溶液法生长SiC单晶的研究进展[J].人工晶体学报,2022,51(1):3-20,18.基金项目
北京市科技计划项目(Z201100004020003,Z161100002116018,Z211100004821004) （Z201100004020003,Z161100002116018,Z211100004821004）
