高温溶液法生长SiC单晶的研究进展OA北大核心CSTPCD
Research Progress on the Growth of SiC Single Crystal via High Temperature Solution Growth Method
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力.高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提.受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题.高温溶液生长(high temperature solution growth,HTS…查看全部>>
王国宾;李辉;盛达;王文军;陈小龙
中国科学院物理研究所,北京 100190中国科学院大学,北京 100049中国科学院物理研究所,北京 100190中国科学院物理研究所,北京 100190中国科学院大学,北京 100049
数理科学
宽禁带半导体碳化硅高温溶液法顶部籽晶溶液法助熔剂晶体生长
《人工晶体学报》 2022 (1)
3-20,18
北京市科技计划项目(Z201100004020003,Z161100002116018,Z211100004821004)
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