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溶剂蒸汽退火辅助微距升华法制备C8-BTBT单晶

史少辉 方震宇 汪宏

人工晶体学报2022,Vol.51Issue(1):42-48,7.
人工晶体学报2022,Vol.51Issue(1):42-48,7.

溶剂蒸汽退火辅助微距升华法制备C8-BTBT单晶

Preparation of C8-BTBT Single Crystals by Solvent Vapor Annealing Assisted Micro-Spacing Sublimation

史少辉 1方震宇 1汪宏1

作者信息

  • 1. 中山大学材料学院,深圳 518107
  • 折叠

摘要

关键词

有机单晶/微距升华法/溶剂蒸汽退火/有机半导体/C8-BTBT/晶体生长

分类

数理科学

引用本文复制引用

史少辉,方震宇,汪宏..溶剂蒸汽退火辅助微距升华法制备C8-BTBT单晶[J].人工晶体学报,2022,51(1):42-48,7.

基金项目

深圳市科技创新委员会面上项目(JCYJ20190807155411277) (JCYJ20190807155411277)

人工晶体学报

OA北大核心

1000-985X

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