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P掺杂6H-SiC的第一性原理研究

黄思丽 谢泉 张琴

人工晶体学报2022,Vol.51Issue(1):49-55,64,8.
人工晶体学报2022,Vol.51Issue(1):49-55,64,8.

P掺杂6H-SiC的第一性原理研究

First-Principles Study of P-Doped 6H-SiC

黄思丽 1谢泉 1张琴1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
  • 折叠

摘要

关键词

间隙掺杂/6H-SiC/带隙/介电函数/第一原理/电子结构/光学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

黄思丽,谢泉,张琴..P掺杂6H-SiC的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2022,51(1):49-55,64,8.

基金项目

贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地(2020-520000-83-01-324061) (2020-520000-83-01-324061)

国家自然科学基金(61264004) (61264004)

贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015) (黔科合人才(2015)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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