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TFSI钝化晶体硅表面性质的第一性原理研究

魏丽静 孟子杰 郭建新

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(1)：72-76,5.
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人工晶体学报2022，Vol.51Issue(1)：72-76,5.

TFSI钝化晶体硅表面性质的第一性原理研究

First Pricinples Study on TFSI Passivating Surface of Crystal Si

魏丽静 1孟子杰 2郭建新2

作者信息

  • 1. 河北金融学院信息工程与计算机学院,保定 071051
  • 2. 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
  • 折叠

摘要

关键词

单晶硅/表面缺陷/钝化/TFSI/有机强酸/第一性原理/态密度

分类

数理科学

引用本文复制引用

魏丽静,孟子杰,郭建新..TFSI钝化晶体硅表面性质的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2022,51(1):72-76,5.

基金项目

国家自然科学基金(61804041) （61804041）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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