GGA+U方法研究C与Ti掺杂GaN的电子结构和光学性质OA北大核心CSTPCD
Electronic Structure and Optical Properties of C and Ti Doped GaN by GGA+U Method
作为一种优良的半导体材料,GaN所具有的宽禁带导致其只能吸收可见光中的紫光,因此如何增加GaN材料对可见光的利用率是一个值得研究的问题,掺杂是解决这个问题常用的手段.本文利用第一性原理的方法对本征GaN,C单掺、Ti单掺、C-Ti共掺GaN四种体系的电子结构和光学性质做了计算和分析,结果表明:掺杂后的体系都具有良好的稳定性;掺杂后各体系的体积均增大,说明杂质的引入使体系晶格发生畸变,对光生空穴-电子对的分离有促进作用,进而提高材料的光催化性能;杂…查看全部>>
刘纪博;雷博程;赵旭才;黄以能;庞国旺;马磊;刘丽芝;王晓东;史蕾倩;潘多桥;刘晨曦;张丽丽
伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,伊宁 835000
化学化工
第一性原理哈伯德U修正GaN掺杂电子结构光学性质半导体
《人工晶体学报》 2022 (1)
77-84,8
伊犁师范大学博士启动基金(2021YSBS009)新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015)新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044)伊犁师范大学科研项目(2020YSYB010))
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