人工晶体学报2022，Vol.51Issue(1)：77-84,8.
GGA+U方法研究C与Ti掺杂GaN的电子结构和光学性质
Electronic Structure and Optical Properties of C and Ti Doped GaN by GGA+U Method
摘要
关键词
第一性原理/哈伯德U修正/GaN/掺杂/电子结构/光学性质/半导体分类
化学化工引用本文复制引用
刘纪博,雷博程,赵旭才,黄以能,庞国旺,马磊,刘丽芝,王晓东,史蕾倩,潘多桥,刘晨曦,张丽丽..GGA+U方法研究C与Ti掺杂GaN的电子结构和光学性质[J].人工晶体学报,2022,51(1):77-84,8.基金项目
伊犁师范大学博士启动基金(2021YSBS009) （2021YSBS009）
新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015) （2021D04015）
新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044) （XJEDU2021Y044）
伊犁师范大学科研项目(2020YSYB010)) （2020YSYB010）
