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Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算

宋娟 王一 郭祥 罗子江 王继红

原子与分子物理学报2022,Vol.39Issue(2):27-32,6.
原子与分子物理学报2022,Vol.39Issue(2):27-32,6.DOI:10.19855/j.1000-0364.2022.021005

Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算

First-principles study on the photoelectric properties of Cu-N co-doped β-Ga2O3

宋娟 1王一 2郭祥 1罗子江 2王继红1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025
  • 2. 教育部半导体功率器件可靠性工程研究中心,贵阳550025
  • 折叠

摘要

关键词

密度泛函理论/β-Ga2O3/电子结构/光学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

宋娟,王一,郭祥,罗子江,王继红..Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2022,39(2):27-32,6.

基金项目

国家自然科学基金(61564002,11664005,61604046) (61564002,11664005,61604046)

贵州省科学技术基金(黔科合基础[2017]1055) (黔科合基础[2017]1055)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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