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基于密度泛函理论探究拉伸应变对MoS2光电性能影响

姜艳 刘贵立 王天爽 王佼 秦汉起 韩晶晶

原子与分子物理学报2022，Vol.39Issue(2)：164-168,5.
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原子与分子物理学报2022，Vol.39Issue(2)：164-168,5.DOI:10.19855/j.1000-0364.2022.026007

基于密度泛函理论探究拉伸应变对MoS2光电性能影响

Exploring the influence of tensile strain on the optical and electrical properties of MoS2 based on density functional theory

姜艳 1刘贵立 2王天爽 3王佼 1秦汉起 1韩晶晶4

作者信息

  • 1. 北京工业职业技术学院,北京100042
  • 2. 沈阳工业大学,沈阳110870
  • 3. 北京北科置地有限责任公司,北京101400
  • 4. 贺州学院,贺州542899
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摘要

关键词

拉伸应变/MoS2/电子结构/光学性能

分类

化学化工

引用本文复制引用

姜艳,刘贵立,王天爽,王佼,秦汉起,韩晶晶..基于密度泛函理论探究拉伸应变对MoS2光电性能影响[J].原子与分子物理学报,2022,39(2):164-168,5.

基金项目

北京市科技一般项目(KM202010853001) （KM202010853001）

辽宁省教育厅项目(LZGD2019003) （LZGD2019003）

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

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