| 注册
首页|期刊导航|原子与分子物理学报|磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响

磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响

冉景杨 高灿灿 马奎 杨发顺

原子与分子物理学报2022,Vol.39Issue(4):90-94,5.
原子与分子物理学报2022,Vol.39Issue(4):90-94,5.DOI:10.19855/j.1000-0364.2022.043001

磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响

Effects of magnetron sputtering power on β-Ga2O3 thin films prepared by magnetron sputtering

冉景杨 1高灿灿 1马奎 1杨发顺2

作者信息

  • 1. 贵州大学 电子科学系,贵阳550025
  • 2. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025
  • 折叠

摘要

关键词

β-Ga2O3/射频磁控溅射/溅射功率/半峰宽/晶粒尺寸

分类

化学化工

引用本文复制引用

冉景杨,高灿灿,马奎,杨发顺..磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响[J].原子与分子物理学报,2022,39(4):90-94,5.

基金项目

国家自然科学基金(61664004) (61664004)

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01)) (ERCME-KFJJ2019-(01)

原子与分子物理学报

OA北大核心

1000-0364

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文