6500V SiC MOSFET模块测试与分析OA北大核心
Test and Analysis of 6500V SiC MOSFET Module
碳化硅器件在高压、高频、高温、大功率、低损耗及抗辐射等方面均比硅基器件拥有巨大优势,可以极大提升电力电子系统的功率、效率、体积及重量等性能指标,在高压输变电、新能源汽车、航空航天、造舰航海等领域具有巨大的应用前景.其电气特性中的动静态特性及高温可靠性作为表征碳化硅功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor,MOSFET)模块性能的必要参数是首先需要分析的环节.然而目前国内对于高压大功率碳化硅MOS…查看全部>>
吴沛飞;杜泽晨;杨霏;杜玉杰;吴军民;汤广福
先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102211先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102211先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102211先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102211先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102211先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102211
信息技术与安全科学
碳化硅功率金属场效应晶体管动静态测试高温可靠性功率模块
《中国电机工程学报》 2022 (3)
1081-1091,中插23,12
国家重点研发计划项目(2016YFB0400500).
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