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基于电致发光效应的非接触式碳化硅MOSFET结温在线检测方法研究

冒俊杰 高洪艺 李成敏 罗皓泽 李武华 何湘宁

中国电机工程学报2022,Vol.42Issue(3):1092-1102,中插24,12.
中国电机工程学报2022,Vol.42Issue(3):1092-1102,中插24,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.210556

基于电致发光效应的非接触式碳化硅MOSFET结温在线检测方法研究

Research on Non-contact On-line Junction Temperature Detection Method of SiC MOSFET Based on Electroluminescence Effect

冒俊杰 1高洪艺 1李成敏 1罗皓泽 1李武华 1何湘宁1

作者信息

  • 1. 浙江大学电气工程学院,浙江省 杭州市 310027
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摘要

关键词

电致发光效应/SiC MOSFET/可靠性/温敏光参数/结温检测

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

冒俊杰,高洪艺,李成敏,罗皓泽,李武华,何湘宁..基于电致发光效应的非接触式碳化硅MOSFET结温在线检测方法研究[J].中国电机工程学报,2022,42(3):1092-1102,中插24,12.

基金项目

国家杰出青年科学基金项目(51925702) (51925702)

浙江省自然科学基金项目(LQ21E070006) (LQ21E070006)

台达电力电子科教发展计划(DREG2020002). (DREG2020002)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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