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基于GaAs pHEMT 2.5~4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

林倩 胡单辉 邬海峰 陈思维

重庆邮电大学学报(自然科学版)2022,Vol.34Issue(1):73-77,5.
重庆邮电大学学报(自然科学版)2022,Vol.34Issue(1):73-77,5.DOI:10.3979/j.issn.1673-825X.202011030342

基于GaAs pHEMT 2.5~4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

Design of 2.5~4.3 GHz GaAs pHEMT drive power amplifier chip

林倩 1胡单辉 1邬海峰 2陈思维1

作者信息

  • 1. 青海民族大学 物理与电子信息工程学院,西宁810007
  • 2. 成都嘉纳海威科技有限责任公司,成都610073
  • 折叠

摘要

关键词

GaAs pHEMT/MMIC PA/共源共栅/负反馈/高增益

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

林倩,胡单辉,邬海峰,陈思维..基于GaAs pHEMT 2.5~4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计[J].重庆邮电大学学报(自然科学版),2022,34(1):73-77,5.

基金项目

国家自然科学基金(62161046) (62161046)

中国科学院西部青年学者西部之光项目(114) (114)

青海省自然科学基金面上项目(2021-ZJ-910) (2021-ZJ-910)

青海民族大学研究生创新项目(10M2021001) (10M2021001)

重庆邮电大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

1673-825X

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