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基于CMOS工艺的高线性宽带放大器芯片设计

何宁 李烁星 张萌 何乐

电子器件2021,Vol.44Issue(6):1292-1297,6.
电子器件2021,Vol.44Issue(6):1292-1297,6.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2021.06.002

基于CMOS工艺的高线性宽带放大器芯片设计

Design of the Wideband High-Linearity Amplifier Based on CMOS Process Technology

何宁 1李烁星 2张萌 1何乐2

作者信息

  • 1. 航天科工通信技术研究院有限责任公司,四川 成都610051
  • 2. 东南大学航天科工通信技术研究院 量子信息与通信联合研究中心,江苏 南京211100
  • 折叠

摘要

关键词

宽带/高线性度/放大器芯片/射频CMOS工艺

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

何宁,李烁星,张萌,何乐..基于CMOS工艺的高线性宽带放大器芯片设计[J].电子器件,2021,44(6):1292-1297,6.

基金项目

四川省科技计划项目 ()

成都市蓉漂计划项目 ()

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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