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脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析

李俊霖李瑞宾丁李利陈伟刘岩

物理学报2022，Vol.71Issue(4)：195-202,8.

物理学报2022，Vol.71Issue(4)：195-202,8.DOI:10.7498/aps.71.20211691

TCAD simulation analysis of vertical parasitic effect induced by pulsed γ- ray in NMOS from 180 nm to 40 nm technology nodes

李俊霖 ¹李瑞宾 ¹丁李利 ¹陈伟 ¹刘岩¹

作者信息

瞬时电离辐射效应/寄生效应/阱电势抬升/二次光电流

李俊霖,李瑞宾,丁李利,陈伟,刘岩..脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析[J].物理学报,2022,71(4):195-202,8.

国家自然科学基金(批准号:11835006)资助的课题. （批准号:11835006）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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