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顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究

赵淑钰 徐滨滨 赵振宇 吕雪芹

物理学报2022,Vol.71Issue(4):229-236,8.
物理学报2022,Vol.71Issue(4):229-236,8.DOI:10.7498/aps.71.20211720

顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究

Influence of top mirror on performance of GaN-based resonant cavity light-emitting diode

赵淑钰 1徐滨滨 1赵振宇 1吕雪芹1

作者信息

  • 1. 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院,厦门 361005
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摘要

关键词

GaN基RCLED/高反膜结构DBR/滤波器结构DBR/单纵模发光

引用本文复制引用

赵淑钰,徐滨滨,赵振宇,吕雪芹..顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究[J].物理学报,2022,71(4):229-236,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61574119)和福建省自然科学基金(批准号:2021J01048,2017J01120)资助的课题. (批准号:61574119)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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