| 注册
首页|期刊导航|现代应用物理|反向泄漏电流对GaN基雪崩渡越时间二极管性能的影响

反向泄漏电流对GaN基雪崩渡越时间二极管性能的影响

戴扬 卢昭阳 党江涛 叶青松 雷晓艺 张云尧 廖晨光 赵武

现代应用物理2021,Vol.12Issue(4):P.93-99,7.
现代应用物理2021,Vol.12Issue(4):P.93-99,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.040502

反向泄漏电流对GaN基雪崩渡越时间二极管性能的影响

戴扬 1卢昭阳 1党江涛 1叶青松 1雷晓艺 1张云尧 1廖晨光 1赵武1

作者信息

  • 1. 西北大学信息科学与技术学院,西安710127
  • 折叠

摘要

关键词

反向泄漏电流/相位延迟/电场/IMPATT二极管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

戴扬,卢昭阳,党江涛,叶青松,雷晓艺,张云尧,廖晨光,赵武..反向泄漏电流对GaN基雪崩渡越时间二极管性能的影响[J].现代应用物理,2021,12(4):P.93-99,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(61804125,62004163) (61804125,62004163)

陕西省教育厅科研计划项目(19JK0846,19JK0856)。 (19JK0846,19JK0856)

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

访问量1
|
下载量0
段落导航相关论文