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插拔式单晶LaB_(6)阴极制备与应用

阴生毅 张永清 高向阳 任峰 王宇 吕昕平

真空电子技术Issue(1):P.55-60,6.
真空电子技术Issue(1):P.55-60,6.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2022.01.11

插拔式单晶LaB_(6)阴极制备与应用

阴生毅 1张永清 1高向阳 1任峰 1王宇 1吕昕平2

作者信息

  • 1. 中国科学院空天信息创新研究院高功率微波源与技术重点实验室,北京101407
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

插拔式/单晶/LaB_(6)/制备/电子发射

分类

数理科学

引用本文复制引用

阴生毅,张永清,高向阳,任峰,王宇,吕昕平..插拔式单晶LaB_(6)阴极制备与应用[J].真空电子技术,2022,(1):P.55-60,6.

基金项目

国家重点研发计划项目(2018YFB1105200) (2018YFB1105200)

真空电子技术

1002-8935

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