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采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱

黄卫国 顾溢 金宇航 刘博文 龚谦 黄华 王庶民 马英杰 张永刚

红外与毫米波学报2022，Vol.41Issue(1)：P.253-261,9.
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红外与毫米波学报2022，Vol.41Issue(1)：P.253-261,9.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.01.019

采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱

黄卫国 1顾溢 2金宇航 3刘博文 3龚谦 4黄华 4王庶民 5马英杰 6张永刚6

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室,上海200050 中国科学院大学,北京100049
  • 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室,上海200050 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室,上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083 中国科学院大学,北京100049
  • 3. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室,上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
  • 4. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室,上海200050
  • 5. 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系,哥德堡SE-41296
  • 6. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室,上海200050 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室,上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
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摘要

关键词

量子阱/GaP/Si/异变缓冲层/中红外

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄卫国,顾溢,金宇航,刘博文,龚谦,黄华,王庶民,马英杰,张永刚..采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱[J].红外与毫米波学报,2022,41(1):P.253-261,9.

基金项目

Supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.62075229 and 61775228) （Nos.62075229 and 61775228）

the International Science and Technology Cooperation Program of Shanghai(No.20520711200)。 （No.20520711200）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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