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N型局部有源忆阻器的神经形态行为

王世场卢振洲梁燕王光义

物理学报2022，Vol.71Issue(5)：P.52-64,13.

物理学报2022，Vol.71Issue(5)：P.52-64,13.DOI:10.7498/aps.71.20212017

王世场 ¹卢振洲 ¹梁燕 ¹王光义¹

作者信息

忆阻器/局部有源/神经形态/Hopf分岔/硬件实现

信息技术与安全科学

王世场,卢振洲,梁燕,王光义..N型局部有源忆阻器的神经形态行为[J].物理学报,2022,71(5):P.52-64,13.

浙江省自然科学基金(批准号:LY20F010008) （批准号:LY20F010008）

国家自然科学基金(批准号:62171173)资助的课题. （批准号:62171173）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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