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金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响

李姚郑子轩蒲红斌

人工晶体学报2022，Vol.51Issue(2)：P.222-228,7.

李姚 ¹郑子轩 ²蒲红斌²

作者信息

1. 西安理工大学电子工程系,西安710048 西安电子科技大学宽带隙半导体材料教育部重点实验室,西安710071 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室,西安710048
2. 西安理工大学电子工程系,西安710048 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室,西安710048
折叠

GaN HEMT/沟道温度/各向异性/热导率/解析模型/器件热阻

信息技术与安全科学

李姚,郑子轩,蒲红斌..金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响[J].人工晶体学报,2022,51(2):P.222-228,7.

宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金(Kdxkf2019-01) （Kdxkf2019-01）

陕西省教育厅科研计划(21JK0809)。（21JK0809）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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