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复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计

刘成 李明 文章 顾钊源 杨明超 刘卫华 韩传余 张勇 耿莉 郝跃

物理学报2022，Vol.71Issue(5)：P.274-282,9.
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物理学报2022，Vol.71Issue(5)：P.274-282,9.DOI:10.7498/aps.71.20211917

复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计

刘成 1李明 1文章 1顾钊源 1杨明超 1刘卫华 1韩传余 1张勇 2耿莉 1郝跃3

作者信息

  • 1. 西安交通大学微电子学院,西安市微纳电子与系统集成实验室,西安710049
  • 2. 西安交通大学电气工程学院,西安710049
  • 3. 西安电子科技大学微电子学院,西安710071
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摘要

关键词

GaN肖特基二极管/漏电流/击穿电压/阶梯型场板

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘成,李明,文章,顾钊源,杨明超,刘卫华,韩传余,张勇,耿莉,郝跃..复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计[J].物理学报,2022,71(5):P.274-282,9.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(批准号:2017YFB0404102)资助的课题。 （批准号:2017YFB0404102）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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