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N_(2)O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响

徐华 刘京栋 蔡炜 李民 徐苗 陶洪 邹建华 彭俊彪

物理学报2022，Vol.71Issue(5)：P.319-326,8.
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物理学报2022，Vol.71Issue(5)：P.319-326,8.DOI:10.7498/aps.71.20211350

N_(2)O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响

徐华 1刘京栋 2蔡炜 3李民 1徐苗 4陶洪 1邹建华 2彭俊彪2

作者信息

  • 1. 广州新视界光电科技有限公司,广州510530
  • 2. 华南理工大学,发光材料与器件国家重点实验室,广州510641
  • 3. 季华实验室,佛山528000
  • 4. 广州新视界光电科技有限公司,广州510530 华南理工大学,发光材料与器件国家重点实验室,广州510641
  • 折叠

摘要

关键词

金属氧化物半导体/背沟道刻蚀/薄膜晶体管/N_(2)O等离子体

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐华,刘京栋,蔡炜,李民,徐苗,陶洪,邹建华,彭俊彪..N_(2)O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响[J].物理学报,2022,71(5):P.319-326,8.

基金项目

广东省重点研发项目(批准号:2019B010924004,2019B010934001,2019B010925001) （批准号:2019B010924004,2019B010934001,2019B010925001）

广东省国际科技合作计划(批准号:2018A050506022) （批准号:2018A050506022）

季华实验室科研项目(批准号:X190221TF190)资助的课题。 （批准号:X190221TF190）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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