N_(2)O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响OA北大核心CSCDCSTPCDSCI
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备.研究了N_(2)O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究.结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性.高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以有效抵抗铝酸的刻蚀,未发现明显的成分偏析现象…查看全部>>
徐华;刘京栋;蔡炜;李民;徐苗;陶洪;邹建华;彭俊彪
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电子信息工程
金属氧化物半导体背沟道刻蚀薄膜晶体管N_(2)O等离子体
《物理学报》 2022 (5)
P.319-326,8
广东省重点研发项目(批准号:2019B010924004,2019B010934001,2019B010925001)广东省国际科技合作计划(批准号:2018A050506022)季华实验室科研项目(批准号:X190221TF190)资助的课题。
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