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一种碳化硅器件三电平电路的损耗计算方法

吕志通 李雪 迟颂

电测与仪表2022，Vol.59Issue(3)：75-81,7.
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电测与仪表2022，Vol.59Issue(3)：75-81,7.DOI:10.19753/j.issn1001-1390.2022.03.010

一种碳化硅器件三电平电路的损耗计算方法

Loss calculation method for three-level circuit based on silicon carbide device

吕志通 1李雪 2迟颂1

作者信息

  • 1. 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学),天津300130
  • 2. 河北省电磁场与电器可靠性重点实验室(河北工业大学),天津300130
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅器件/三电平电路/平均值法/损耗参数/损耗计算

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吕志通,李雪,迟颂..一种碳化硅器件三电平电路的损耗计算方法[J].电测与仪表,2022,59(3):75-81,7.

基金项目

河北省高层次人才资助项目(E2015100007) （E2015100007）

电测与仪表

OA北大核心CSTPCD

1001-1390

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