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22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究

赵雯 赵凯 陈伟 沈鸣杰 王坦 郭晓强 贺朝会

原子能科学技术2022，Vol.56Issue(3)：537-545,9.
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原子能科学技术2022，Vol.56Issue(3)：537-545,9.DOI:10.7538/yzk.2021.youxian.0096

22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究

Heavy Ion Experiment Research of Single Event Effect in 22 nm FDSOI Technology SRAM

赵雯 1赵凯 2陈伟 3沈鸣杰 2王坦 3郭晓强 2贺朝会1

作者信息

  • 1. 西安交通大学 核科学与技术学院,陕西 西安 710049
  • 2. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西北核技术研究所,陕西 西安 710024
  • 3. 上海复旦微电子集团股份有限公司,上海 200433
  • 折叠

摘要

关键词

单粒子效应/重离子/全耗尽绝缘体上硅/静态随机存储器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵雯,赵凯,陈伟,沈鸣杰,王坦,郭晓强,贺朝会..22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究[J].原子能科学技术,2022,56(3):537-545,9.

基金项目

国家自然科学基金重大项目(11690043,11690040) （11690043,11690040）

原子能科学技术

OA北大核心CSTPCD

1000-6931

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