原子能科学技术2022，Vol.56Issue(3)：546-553,8.DOI:10.7538/yzk.2021.youxian.0019
基于GEANT4模拟分析不同能量质子在CMOS APS中的位移损伤研究
Simulation of Proton-induced Displacement Damage Effect in CMOS APS Based on GEANT4
摘要
关键词
位移损伤/互补金属氧化物半导体APS/非电离能量损失/空间站轨道分类
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臧航,刘方,贺朝会,谢飞,白雨蓉,黄煜,王涛..基于GEANT4模拟分析不同能量质子在CMOS APS中的位移损伤研究[J].原子能科学技术,2022,56(3):546-553,8.基金项目
科学挑战专题项目(TZ2018004) （TZ2018004）
国家自然科学基金(11975179) （11975179）
