|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|中国光学|532nm皮秒脉冲激光对单晶硅的损伤特性研究

532nm皮秒脉冲激光对单晶硅的损伤特性研究

王佳敏 季艳慧 梁志勇 陈飞 郑长彬

中国光学2022，Vol.15Issue(2)：243-251,9.
✕
中国光学2022，Vol.15Issue(2)：243-251,9.DOI:10.37188/CO.2021-0160

532nm皮秒脉冲激光对单晶硅的损伤特性研究

Damage characteristics of a 532 nm picosecond pulse laser on monocrystalline silicon

王佳敏 1季艳慧 2梁志勇 1陈飞 2郑长彬3

作者信息

  • 1. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激光与物质相互作用国家重点实验室,吉林 长春130033
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049
  • 3. 北京跟踪与通信技术研究所, 北京 100094
  • 折叠

摘要

关键词

皮秒脉冲激光/单晶硅/损伤阈值/累积效应/损伤特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王佳敏,季艳慧,梁志勇,陈飞,郑长彬..532nm皮秒脉冲激光对单晶硅的损伤特性研究[J].中国光学,2022,15(2):243-251,9.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(No.2018YFE0203203) （No.2018YFE0203203）

中国科学院创新交叉团队(No.JCTD-2020-13) （No.JCTD-2020-13）

中科院长春光机所重大创新项目(No.E10302Y3M0) （No.E10302Y3M0）

中国光学

OA北大核心CSCDCSTPCD

2095-1531

访问量9
|
下载量0
段落导航相关论文