北京信息科技大学学报（自然科学版）2022，Vol.37Issue(1)：40-44,5.DOI:10.16508/j.cnki.11-5866/n.2022.01.007
辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究
Investigation of irradiation effects on threshold voltage shifts in MOSFETs gate dielectric
摘要
关键词
高k栅介质/金属-氧化物半导体场效应晶体管/阈值电压漂移/总剂量辐照效应/动力学蒙特卡洛分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨燚,赵凯,赵钰迪,董俊辰..辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究[J].北京信息科技大学学报（自然科学版）,2022,37(1):40-44,5.基金项目
北京市教委科研计划资助项目(KM202111232016) （KM202111232016）
北京信息科技大学"勤信人才"培育计划资助项目(QXTCPC202109) （QXTCPC202109）
北京信息科技大学校科研基金项目(2021XJJ20) （2021XJJ20）
