物理学报2022，Vol.71Issue(6)：363-370,8.DOI:10.7498/aps.71.20211655
全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元单粒子效应计算机模拟研究
Numerical simulation of single-event effects in fully-depleted silicon-on-insulator HfO2-based ferroelectric field-effect transistor memory cell
摘要
关键词
全耗尽绝缘体上硅/铁电场效应晶体管/单粒子效应/计算机辅助设计引用本文复制引用
沈睿祥,张鸿,宋宏甲,侯鹏飞,李波,廖敏,郭红霞,王金斌,钟向丽..全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元单粒子效应计算机模拟研究[J].物理学报,2022,71(6):363-370,8.基金项目
国家自然科学基金(批准号:11875229,51872251,61634008)、湖南省自然科学基金(批准号:2021JJ30675)和湖南省教育厅优秀青年基金(批准号:20B560)资助的课题. （批准号:11875229,51872251,61634008）
