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多晶硅I-V曲线的Bezier控制点拟合规律

师楠 徐明忠 朱显辉 胡旭

中国电机工程学报2022,Vol.42Issue(6):2200-2207,中插13,9.
中国电机工程学报2022,Vol.42Issue(6):2200-2207,中插13,9.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.210212

多晶硅I-V曲线的Bezier控制点拟合规律

Bezier Control Point Fitting Rule of Polysilicon I-V Curve

师楠 1徐明忠 2朱显辉 1胡旭1

作者信息

  • 1. 黑龙江科技大学工程训练与基础实验中心,黑龙江省 哈尔滨市150022
  • 2. 中国电力科学研究院有限公司,湖北省 武汉市 430074
  • 折叠

摘要

关键词

太阳能电池/输出特性/多晶硅/Bezier函数/控制点/线性规律

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

师楠,徐明忠,朱显辉,胡旭..多晶硅I-V曲线的Bezier控制点拟合规律[J].中国电机工程学报,2022,42(6):2200-2207,中插13,9.

基金项目

国家自然科学基金项目(51677057) (51677057)

黑龙江省普通本科高等学校青年创新人才培养计划(UNPYSCT-2017144). (UNPYSCT-2017144)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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