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基于陷阱分布的PI/ZnO复合薄膜介电特性

李天娇 张博 乌江

电工技术学报2022,Vol.37Issue(6):1554-1563,10.
电工技术学报2022,Vol.37Issue(6):1554-1563,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90430

基于陷阱分布的PI/ZnO复合薄膜介电特性

The Dielectric Properties of PI/ZnO Composite Films Based on Trap Level Distribution

李天娇 1张博 2乌江1

作者信息

  • 1. 电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049
  • 2. 西安工程大学电子信息学院 西安 710048
  • 折叠

摘要

关键词

介电性能/聚酰亚胺/纳米ZnO/陷阱能级分布

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李天娇,张博,乌江..基于陷阱分布的PI/ZnO复合薄膜介电特性[J].电工技术学报,2022,37(6):1554-1563,10.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51607134). (51607134)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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