退火温度对基于Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响OA北大核心CSTPCD
Effect of Annealing Temperature on Performance of ZnO-TFTs Based on Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7 Gate Insulator
具有高介电常数的Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应和低的电学性能.为了解决这些问题,提高器件性能,本文采用射频磁控溅射制备了以Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7为栅绝缘层的ZnO-TFTs,同时,详细研究了300℃、400℃、500℃和600℃等退火温度对ZnO-TFTs性能的影响,研究结果表明,随着退火温度的升高…查看全部>>
张琦;叶伟;孙芳莉;萧生;杜鹏飞
陕西理工大学机械工程学院,陕西汉中723001陕西理工大学机械工程学院,陕西汉中723001西北工业集团有限公司,陕西西安710043陕西理工大学机械工程学院,陕西汉中723001陕西理工大学机械工程学院,陕西汉中723001
信息技术与安全科学
Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7薄膜氧化锌薄膜晶体管射频磁控溅射退火温度电容密度高介电常数
《电子学报》 2022 (2)
455-460,6
陕西省教育厅专项科学研究计划(No.17JK0144,No.18JK0151)陕西理工大学人才启动项目(No.SLGQD2017-19)
评论