电子科技2022，Vol.35Issue(4)：8-13,6.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2022.04.002
基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计
Design of Ternary Logic-in-Memory Based on RRAM Dual-Crossbars
摘要
关键词
三值存内逻辑/存储墙/阻变存储器/RRAM交叉阵列/多值单元/混合CMOS-MLC/三值加法器/碳纳米晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘维祎,孙亚男,何卫锋..基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计[J].电子科技,2022,35(4):8-13,6.基金项目
国家自然科学基金(61704104) （61704104）
