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单晶硅的放电加工条件与试验研究

辛彬 刘巍 宋玉贵

机械科学与技术2022,Vol.41Issue(3):421-432,12.
机械科学与技术2022,Vol.41Issue(3):421-432,12.DOI:10.13433/j.cnki.1003-8728.20200618

单晶硅的放电加工条件与试验研究

Definition and Experimental Research on Electrical Discharge Machining Conditions of Single Crystal Silicon

辛彬 1刘巍 1宋玉贵1

作者信息

  • 1. 西安工业大学 光电工程学院, 西安 710021
  • 折叠

摘要

关键词

放电加工/单晶硅/场致发射/等离子体通道/电导率

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

辛彬,刘巍,宋玉贵..单晶硅的放电加工条件与试验研究[J].机械科学与技术,2022,41(3):421-432,12.

基金项目

国家自然科学基金项目(11805150)与陕西省教育厅基金项目(20JK0691) (11805150)

机械科学与技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1003-8728

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