GaN HEMT发展趋势及运用原理

沈杭

科技创新与应用2022，Vol.12Issue(9)：182-184,188,4.

科技创新与应用2022，Vol.12Issue(9)：182-184,188,4.DOI:10.19981/j.CN23-1581/G3.2022.09.044

沈杭¹

作者信息

GaN/HEMT/生物研究/传感器

信息技术与安全科学

沈杭..GaN HEMT发展趋势及运用原理[J].科技创新与应用,2022,12(9):182-184,188,4.

ISSN：2095-2945

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