人工晶体学报2022，Vol.51Issue(3)：371-384,14.
大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化
Thermal Field Design and Optimization of Resistance Heated Large-Size SiC Crystal Growth System
卢嘉铮 1张辉 2郑丽丽 1马远 3宋德鹏4
作者信息
- 1. 清华大学航天航空学院,北京 100084
- 2. 清华大学工程物理系,北京 100084
- 3. 中电化合物半导体有限公司,宁波 315336
- 4. 山东力冠微电子装备有限公司,济南 250119
- 折叠
摘要
关键词
8英寸SiC晶体/晶体生长/电阻加热/热场设计/输运机理/物理气相传输/加热器/保温棉分类
数理科学引用本文复制引用
卢嘉铮,张辉,郑丽丽,马远,宋德鹏..大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化[J].人工晶体学报,2022,51(3):371-384,14.
