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公共支路阻抗耦合对碳化硅MOSFET器件并联电流分配的影响及优化

赵斌 柯俊吉 孙鹏 蔡雨萌 赵志斌

中国电机工程学报2022,Vol.42Issue(7):2638-2649,前插21,13.
中国电机工程学报2022,Vol.42Issue(7):2638-2649,前插21,13.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.210272

公共支路阻抗耦合对碳化硅MOSFET器件并联电流分配的影响及优化

Influence and Optimization of Common Branch Impedance Coupling on Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs

赵斌 1柯俊吉 2孙鹏 1蔡雨萌 1赵志斌1

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区 102206
  • 2. 上海贝岭股份有限公司,上海市 徐汇区 200233
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅MOSFET/电流分配/公共支路阻抗耦合/支路阻抗补偿

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵斌,柯俊吉,孙鹏,蔡雨萌,赵志斌..公共支路阻抗耦合对碳化硅MOSFET器件并联电流分配的影响及优化[J].中国电机工程学报,2022,42(7):2638-2649,前插21,13.

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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