红外技术2022，Vol.44Issue(4)：351-356,6.
退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
Effect of Annealing on C-V Characteristics of InSb Metal-Insulator-Semiconductor Devices
周伟佳 1龚晓霞 1陈冬琼 1肖婷婷 1尚发兰 1杨文运1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南 昆明 650223
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摘要
关键词
锑化铟/C-V特性/金属化后退火/原子层沉积分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
周伟佳,龚晓霞,陈冬琼,肖婷婷,尚发兰,杨文运..退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响[J].红外技术,2022,44(4):351-356,6.
